来源：集成电路材料研究近日，拓荆科技在接受机构调研时表示，公司自主研发并推出的超高深宽比沟槽填充CVD产品首台已通过客户验证，实现了产业化应用，并获得客户重复订单及不同客户订单，陆续出货至客户端验证。超高深宽比沟槽填充CVD设备可以在晶圆表面沉积高品质的介电薄膜材料，经过固化及氧化等处理工艺后，可达

来源：维科网光通讯近日，全球玻璃基光子芯片领域的领航者Ephos宣布了其业务版图的重大扩张计划，成功募集了850万美元（折合约5969.04万人民币）资金，并宣布在意大利米兰设立全球首个专注于玻璃基量子光子电路研发与制造的尖端工厂。该工厂预计年内全面投产，首批创新芯片产品也将在不久后惊艳亮相。（图片

来源：无锡日报 在全链条推进量子科技这一未来产业技术攻关和成果应用上无锡再迎重磅动作 25日，由上海交通大学无锡光子芯片研究院建设的国内首条光子芯片中试线正式启用，这标志着光子芯片正式步入产业化快车道，将突破原有的计算范式限制，为大规模智算带来新的想象空间。光子芯片是新一代信息技术的核心，能满足新一

来源：businesswireAOZ1390DI 的先进 LPS 功能可大大降低危险条件下的风险（图源：Business Wire）Alpha and Omega Semiconductor Limited (AOS) （“万国半导体”）是一家设计、开发和全球供应各种分立功率器件、宽禁带功率器件、电

来源：瞻芯电子近日，自2020年正式发布第一代碳化硅(SiC) MOSFET产品以来，瞻芯电子累计交付SiC MOSFET产品1000万颗以上，其中包含近400万颗车规级产品应用在新能源汽车市场，标志着产品的长期可靠性得到了市场验证。SiC MOSFET作为功率变换系统的核心元器件，其性能表现影响应

来源：Military AerospaceUWBGS 计划将为半导体电子领域的下一次革命，开发和优化超宽禁带材料和制造工艺。美国军方研究人员需要为新一代超宽禁带半导体开发新型集成电路衬底、器件层、结和低电阻电触点。他们从 RTX 公司找到了解决方案。位于美国弗吉尼亚州阿灵顿的美国国防高级研究计划局

来源：江阴发布近日，江阴举行长电微电子晶圆级微系统集成高端制造项目通线仪式。无锡市委常委、江阴市委书记许峰，市领导顾文瑜、陈涵杰，长电科技董事、首席执行长郑力参加活动。许峰代表江阴市委市政府向项目的顺利通线表示祝贺。他说，近年来，江阴始终坚持“项目为王”，持续掀起“大抓项目、抓大项目”的强劲攻势，近

近日，无锡芯动半导体科技有限公司（Wuxi XinDong Semiconductor Technology Co., Ltd. ，以下简称“芯动半导体”）与全球知名半导体厂商罗姆（ROHM Co., Ltd. ，以下简称“罗姆”）签署了以SiC为核心的车载功率模块战略合作伙伴协议。签约仪式剪影芯动

来源：南方+、南海科技、生益天空下成立时间不到7年员工不过50人相关授权专利却位居世界第4这家南海企业是如何做到的？广东佛智芯微电子技术研究有限公司。后摩尔定律时代，“先进封装”成为芯片效能提升的关键，是全球半导体企业的必争之地。英伟达规划2026年前导入、台积电成立专门团队并规划建立小量试产线……

据韩媒报道，三星已经停止了韩国平泽P4、美国泰勒半导体工厂建设计划。根据三星的官方声明，公司正在重新评估其全球生产和运营策略，以应对当前全球半导体市场的不确定性。三星表示，此次决策是出于对未来市场需求的审慎考虑，以及对半导体行业盈利能力的深入分析。原本三星计划在美国投资440亿美元，建设两个半导体工

来源：SEMI ChinaSEMI 美国加州时间2024年9月26日，SEMI发布《300mm晶圆厂2027年展望报告（300mm Fab Outlook Report to 2027）》指出，从2025年到2027年，全球300mm晶圆厂设备支出预计将达到创纪录的4000亿美元。强劲的支出是由半导

来源：半导体行业联盟全球半导体产业规模2030年有望突破1万亿美金的体量。9月25日，第十二届（2024年）中国电子专用设备工业协会半导体设备年会、第十二届半导体设备与核心部件展示会（CSEAC 2024）在无锡隆重开幕。25日上午，第十二届（2024年）中国电子专用设备工业协会半导体设备年会与集成